mos管和可控硅（mos管和可控硅管有什么区别）

发布时间：2023-08-02

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这样就有起到过压保护，以防一通电或者关断时候产生感应电动势产生的电压把可控硅击穿，有时候还会串联一个电感。使用可控硅三极管 MOS管的单片机控制220V交流电通断电路图解使用单片机控制220V交流电的通断，方法非常多。

MOS管是单极性器件，晶闸管是半控器件。晶闸管的正极相当于MOS管的漏极，门极相当于MOS管的栅极，阴极相当于MOS管的源极。控制是有所区别的，晶闸管是半控型器件，MOS管是全控型器件，至于要多了解，得从结构上去理解。

MOS管与场效应管是一个概念。MOS管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。MOS管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10V左右。

MOS管，在开通的一小段门极电压范围内事线性放大的，但是不稳定，因为MOS管会受到工作温度的影响，导致门极电压导通特性的微小变化，这种变化很少有人来设计反馈电路来抑制，因此MOS管一般作为开关管使用。

mos管和可控硅（mos管和可控硅管有什么区别）

GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。

其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。

mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。

IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

主要作用：普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。

GTO的电压、电流容量比IGBT的大，主要用于大功率领域，但它的驱动电路技术难度也大，而且价位高，不受到推广。

1、不可以，两者不是同类型器件。场管是电压控制型，导通后没有控制信号就会断开；可控硅是电流控制型，导通后撤去控制信号仍会继续导通；可控硅可用于控制交流电路，而场效应管用于控制直流电路。

2、性能不同：场效应管只有多子参与导电；可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。

3、不是。场效管的主要作用是放大信号；可控硅的主要作用是当开关。

4、场管的控制电流甚至是没有电流的，它是电压控制形器件，对控制端来说，内阻很大。而可控硅需要控制端的电流达到一定值后才能动作。对于强电负载就用可控硅，对于导通电阻值要求较小的情形就用场管。其它情况待知友补充。

5、三极管是全控的，可以用小电流控制输出的电流大小。可控硅只能控制通断，可控硅接通后不能自动截断，必须有个负电压才能截断。

6、mos管与场效应管是一个概念。mos管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。mos管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10v左右。

1、因为管子与母线电容距离较远，回路中有较大的寄生电感。

2、很可能是散热不好温度过高或者是输出过载亦或是输出短路导致的。通常逆变器的输入电压为12V、24V、36V、48V也有其他输入电压的型号，而输出电压一般多为220V，当然也有其他型号的可以输出不同需要的电压。

3、只MOS管做全桥驱动。可以利用4只n mos管，以及自举电路，对称的给上下臂送高低电平，以控制上下臂不同MOS管导通，以达到控制电流方向的目的。

可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。

可控硅为开关型器件，场效应管及可以作为开关也可以放大型器件。可控硅触发后必须电源过零点才会关断，场效应管受栅极控制。可控硅只有二个状态，不是导通就是截止，场效应管从截止到完全导通是连续的。

微件不同：场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于可控硅的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。

即可控硅被复位，一般情况下，其栅极电压不会高于阳极，所以可控硅属于不可关断的半控器件，当触发导通时无法通过栅极关断，而场效应管属全控器件可以通过栅极关断。