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光电器件概论pdf（光电器件课程设计）

发布时间：2023-08-02
阅读量：27

本文目录一览：

半导体光电子器件的原理简介

1、再者是原理是接通电源后，发射结正向连接。在正向电场的作用下，发射区多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此，发射区的电子在外电场的作用下很容易越过发射结进入基区，形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。

2、一旦半导体激光器上加上正向偏压时，在结区就发生粒子数反转而进行复合。

3、LD工作原理是基于受激辐射、LED是基于自发辐射。LD发射功率较高、光谱较窄、直接调制带宽较宽，而LED发射功率较小、光谱较宽、直接调制 带宽较窄。

4、原理：在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。

5、我觉得基本原理是半导体中的电子 从高能级跃迁到低能级的过程中以光辐射的形式释放能量 具体的有两种情况自发辐射（直接跃迁、间接跃迁）和受激辐射（照它它才亮的那种。。

6、导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。

光电倍增管介绍

1、光电倍增管是一种真空器件，它由光电发射阴极（光阴极）和聚焦电极、电子倍增极及电子收集极（阳极）等组成。典型的光电倍增管按入射光接收方式可分为端窗式和侧窗式两种类型。

2、光电倍增管广泛地应用在冶金、电子、机械、化工、地质、医疗、核工业、天文和宇宙空间研究等领域。

3、光电倍增管利用光电效应还可以制造多种光电器件，如光电倍增管、电视摄像管、光电管、电光度计等，这里介绍一下光电倍增管。这种管子可以测量非常微弱的光。

4、硅光电倍增管 (SiPM) 传感器的型号是分很多种的，安森美半导体比较常见的型号有C系列、J系列、R系列等，其中RB系列SiPM传感器是R系列的最新版本，与之前的RA系列SiPM传感器相比，可提供更高的光子探测效率和更低的串扰。

5、光电倍增管将光信号转换成电信号，经微电流放大纪录下来。此类检测器的灵敏度可达几十到几百库仑/克，火焰光度检测器的检出限可达10-12g/s（对P）或10-11g/s（对S）。

光敏电阻符号以及工作原理

1、光敏电阻器是一种对光敏感的元件，它的电阻值能随着外界光照强弱变化而变化。光敏电阻器在电路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示，下图是其电路图形符号。图A表示的是新符号，图B表示的是旧符号。

2、光敏电阻工作原理 内光电效应，光敏电阻工作原理是基于它的。

3、光敏电阻或光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。

4、光敏电阻的原理主要涉及半导体材料的特性，具体来说，光敏电阻是由一种含有光敏材料的半导体晶体管制成的。这种材料具有光致电荷转移的特性，即当光线照射到晶体管表面时，会使表面的电子被激活，从而使电阻值发生变化。

光电子器件主要包括哪些种类

光电子器件主要有作为信息载体的光源、辐射探测器、控制与处理用元件器件、光学纤维、显示显像器件。

主要内容有：半导体光电 探测器、光电倍增管、微光像增强器、真空摄像管、CCD 和CMOS 成像器件、致冷和非致冷红外 成像器件、紫外成像器件、X 射线成像器件。

器件：加工中改变分子成分和结构的产品，主要是各种半导体产品。例如二极管、三极管、场效应管，各种光电器件、各种集成电路等，也包括电真空器件和液晶显示器等。

分为三大类：①发光二极管 （LED） 和激光二极管（LD）：将电能转换成光辐射的电致发光器件。

如掺Au、Hg的Ge探测器，是一种很灵敏的红外探测器。光生载流子是由深能级杂质中心激发的，称为非本征激发。这类探测器大多在很低温度下工作（如液氦温度2K）。

关键词：电阻 光电器件 电阻器 传感器

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