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所有常见的电子元件都会判断好坏的话,哪一定是维修专家级的了。下面给你常用的符号和作用吧电子元器件基础知识(1)——电阻
导电体对电流的阻碍作用称为电阻,用符号R表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法:
国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)第一部分:主称 ,用字母表示,表示产品的名字。如R表示电阻,W表示电位器。第二部分:材料 ,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分:分类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号,用数字表示,表示同类产品中不同品种,以区分产品的外型尺寸和性能指迹蠢型标等 例如:R T 1 1 型普通碳膜电阻
电子元器件基础知识(2)——电容
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,姿猜耦合, 旁路,滤波,调谐回路, 能量转换,控制电路等方面。用C表示电容,电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF)档岩,1F=10^6uF=10^12pF
电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。 第一部分:名称,用字母表示,电容器用C。 第二部分:材料,用字母表示。 第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。 第四部分:序号,用数字表示。 用字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
电子元器件基础知识(3)——电感线圈
电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。用L表示,单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH),1H=10^3mH=10^6uH。
电感的分类 按 电感形式 分类:固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按 工作性质 分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按 绕线结构 分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
电感线圈的主要特性参数 1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性,与电流大小无关。除专门的电感线圈(色码电感)外,电感量一般不专门标注在线圈上,而以特定的名称标注。 2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL,单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗XL与其等效的电阻的比值,即:Q=XL/R 线圈的Q值愈高,回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻,骨架的介质损耗,屏蔽罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。 4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小,稳定性变差,因而线圈的分布电容越小越好。
电子元器件基础知识(4)——半导体器件
中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、G-高频小功率管(f3MHz,Pc1W)、D-低频大功率管(f3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管(f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
电流表 PA
电压表 PV
有功电度表 PJ
无功电度表 PJR
频率表 PF
相位表 PPA
最大需量表(负荷监控仪) PM
功率因数表 PPF
有功功率表 PW
无功功率表 PR
无功电流表 PAR
声信号 HA
光信号 HS
指示灯 HL
红色灯 HR
绿色灯 HG
黄色灯 HY
蓝色灯 HB
白色灯 HW
连接片 XB
插头 XP
插座 XS
端子板 XT
电线,电缆,母线 W
直流母线 WB
插接式(馈电)母线 WIB
电力分支线 WP
照明分支线 WL
应急照明分支线 WE
电力干线 WPM
照明干线 WLM
应急照明干线 WEM
滑触线 WT
合闸小母线 WCL
控制小母线 WC
信号小母线 WS
闪光小母线 WF
事故音响小母线 WFS
预告音响小母线 WPS
电压小母线 WV
事故照明小母线 WELM
避雷器 F
熔断器 FU
快速熔断器 FTF
跌落式熔断器 FF
限压保护器件 FV
电容器 C
电力电容器 CE
正转按钮 SBF
反转按钮 SBR
停止按钮 SBS
紧急按钮 SBE
试验按钮 SBT
复位按钮 SR
限位开关 SQ
接近开关 SQP
手动控制开关 SH
时间控制开关 SK
液位控制开关 SL
湿度控制开关 SM
压力控制开关 SP
速度控制开关 SS
温度控制开关,辅助开关 ST
电压表切换开关 SV
电流表切换开关 SA
整流器 U
可控硅整流器 UR
控制电路有电源的整流器 VC
变频器 UF
变流器 UC
逆变器 UI
电动机 M
异步电动机 MA
同步电动机 MS
直流电动机 MD
绕线转子感应电动机 MW
鼠笼型电动机 MC
电动阀 YM
电磁阀 YV
防火阀 YF
排烟阀 YS
电磁锁 YL
跳闸线圈 YT
合闸线圈 YC
气动执行器 YPA,YA
电动执行器 YE
发热器件(电加热) FH
照明灯(发光器件) EL
空气调节器 EV
电加热器加热元件 EE
感应线圈,电抗器 L
励磁线圈 LF
消弧线圈 LA
滤波电容器 LL
电阻器,变阻器 R
电位器 RP
热敏电阻 RT
光敏电阻 RL
压敏电阻 RPS
接地电阻 RG
放电电阻 RD
启动变阻器 RS
频敏变阻器 RF
限流电阻器 RC
光电池,热电传感器 B
压力变换器 BP
温度变换器 BT
速度变换器 BV
时间测量传感器 BT1,BK
液位测量传感器 BL
温度测量传感器 BH,BM
1.普通二极管的检测
用MF47型万用表测量,将红、黑表笔分别接在二极管的两端,读取读数,再将表笔对调测量。根据两次测量结果判断,通常小功率锗二极管的正向电阻值为300-500Ω,硅二极管约为1kΩ或更大些。锗管反相电阻为几十千欧,硅管反向电阻在500kΩ以上(大功率二极管的数值要小的多)。好的二极管正向电阻较低,反向电阻较大,正反向电阻差值越大尺敏越好。如果测得正、反向电阻很小均接近于零,说明二极管内部已短路;若正、反向电阻很大或趋于无穷大,则说明管子内部已断路。在这两种情况下二极管就需报废。在路陵携枝测试:测试二极管PN结正反向电阻,比较容易判断出二极管是击穿短路还是断路。
2.三极管检测
将数字万用表拨到二极管档,用表笔测PN结,如果正向导通,则显示的数字即为PN结的正向压降。
先确定集电极和发射极;用表笔测出两个PN结的正向压降,压降大的是发射极e,压降小的是集电极c。在测试两个结时,红表笔接的是公共极,则被测三极隐袭管为NPN型,且红表笔所接为基极b;如果黑表笔接的是公共极,则被测三极管是PNP型,且此极为基极b。三极管损坏后PN结有击穿短路和开路两种情况。
在路测试:在路测试三极管,实际上是通过测试PN结的正、反向电阻,来达到判断三极管是否损坏。支路电阻大于PN结正向电阻,正常时所测得正、反向电阻应有明显区别,否则PN结损坏了。支路电阻小于PN结正向电阻时,应将支路断开,否则就无法判断三极管的好坏。
3.三相整流桥模块检测
以SEMIKRON(西门子)整流桥模块为例。将数字万用表拨到二极管测试档,黑表笔接COM,红表笔接VΩ,用红、黑两表笔先后测3、4、5相与2、1极之间的正反向二极管特性,来检查判断整流桥是否完好。所测的正反向特性相差越大越好;如正反向为零,说明所检测的一相已被击穿短路;如正反向均为无穷大,说明所检测的一相已经断路。整流桥模块只要有一相损坏,就应更换。
4.逆变器IGBT模块检测
将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块C1.E1、C2.E2之间以及栅极G与E1、E2之间正反向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。
以德国eupec25A/1200V六相IGBT模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档,红表笔接P(集电极C1),黑表笔依次测U、V、W(发射极E1),万用表显示数值为最大;将表笔反过来,黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N(发射极E2),黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右;黑表笔接N,红表笔测U、V、W(集电极C2),万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同,若出现差别说明IGBT模块性能变差,应予更换。IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性,万用表两次所测的数值都为最大,这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示,则门极性能变差,此模块应更换。当正反向测试结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。
5.电解电容器的检测
用MF47型万用表测量时,应针对不同容量的电解电容器选用万用表合适的量程。根据经验,一般情况下,47μF以下的电解电容器可用R×1K档测量,大于47μF的电解电容器可用R×100档测量。
将万用表红表笔接电容器负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大幅度,接着逐渐向左回转,直到停在某一位置(返回无穷大位置)。此时的阻值便是电解电容器的正向漏电阻。此值越大,说明漏电流越小,电容器性能越好。然后,将红、黑表笔对调,万用表指针将重复上述摆动现象。
但此时所测阻值为电解电容器的反相漏电阻,此值略小于正向漏电阻。即反相漏电流比正向漏电流要大。实际使用经验表明,电解电容器的漏电阻一般应在几百千欧以上,否则将不能正常工作。
在测试中,若正向、反相均无充电现象,即表针不动,则说明电容器容量消失或内部短路;如果所测阻值很小或为零,说明电容器漏电大或已击穿损坏,不能再使用。
在路测试:在路测试电解电容器只宜检查严重漏电或击穿的故障,轻微漏电或小容量电解电容器测试的准确性很差。在路测试还应考虑其它元器件对测试的影响,否则读出的数值就不准确,会影响正常判断。电解电容器还可以用电容表来检测两端之间的电容值,以判断电解电容器的好坏。
6.电感器和变压器简易测试
(1)电感器的测试
用MF47型万用表电阻档测试电感器阻值的大小。若被测电感器的阻值为零,说明电感器内部绕组有短路故障。注意操作时一定要将万用表调零,反复测试几次。若被测电感器阻值为无穷大,说明电感器的绕组或引出脚与绕组接点处发生了断路故障。
(2)变压器的简易测试
绝缘性能测试:用万用表电阻档R×10K分别测量铁心与一次绕组、一次绕组与二次绕组、铁心与二次绕组之间的电阻值,应均为无穷大。否则说明变压器绝缘性能不良。
测量绕组通断:用万用表R×1档,分别测量变压器一次、二次各个绕组间的电阻值,一般一次绕组阻值应为几十欧至几百欧,变压器功率越小电阻值越大;二次绕组电阻值一般为几欧至几百欧,如某一组的电阻值为无穷大,则该组有断路故障
注意:这种测量方法只是一种比较粗略的估测,有些绕组匝间绝缘轻微短路的变压器是检测不准的。
7.电阻器的阻值简易测试
在路测量电阻时要切断线路板电源,要考虑电路中的其它元器件对电阻值的影响。如果电路中接有电容器,还必须将电容器放电。万用表表针应指在标度尺的中心部分,读数才准确。
8.贴片式元器件
(1)贴片式元器件种类
变频器电子线路板现在大部分采用贴片式元器件也称为表面组装元器件,它是一种无引线或引线很短的适于表面组装的微小型电子元器件。贴片式元器件品种规格很多,按形状分可分为矩形、圆柱形和异形结构。按类型可分为片式电阻器、片式电容器、片式电感器、片式半导体器件(可分为片式二极管和片式三极管)、片式集成电路。
(2)贴片式元器件的拆、焊
用35W内热式电烙铁,配长寿命耐氧化尖烙铁头。将烙铁头上粘的残留物擦干净,仅剩有一层薄薄的焊锡。两端器件的贴片式元器件拆卸、焊接操作比较容易。贴片式集成电路引脚细且多、引脚间距小,周围元器件排列紧凑,拆装不易。它们的拆卸和焊接,在没有专用工具的条件下是有一定难度的,在此着重介绍贴片式集成电路的拆卸、焊接操作。
(3)拆卸方法
如已判断出集成电路块损坏,用裁纸刀将引脚齐根切断,取下集成电路块。注意切割时刀头不要切到线路板上。然后,用镊子夹住断脚,用尖头烙铁溶化断脚上的焊锡,将断脚逐一取下。
(4)焊接方法
焊接前,先用酒精将拆掉集成电路块的线路板铜萡上的多余焊锡及脏东西清理干净,将集成电路块的引脚涂上酒精松香水,并将引脚搪上一层薄锡。然后,核对好集成电路引脚位置,将集成电路块放在待焊的线路板上,轻压集成电路块,用电烙铁先焊集成电路块四个角上的引脚,将集成电路块固定好,再逐一对其它各引脚进行焊接。为了保证焊接质量,焊接时,最好使用细一些的焊锡丝,如0.6㎜焊锡丝,焊出来的效果好一些。
电子元器件要看它的技术指标,比如温度范围是多少,精度是多少,芯片实现的功能是梁没什么?根据我升渣链们的产品运用,选择能满足要求的器件,价格就差吵孙别很大了。
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