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mos管沟道电阻（mos管沟道形成的原理）

发布时间：2023-08-06
阅读量：22

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为什么mos管的输入电阻很高?

1、MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写，MOS电路由MOSFET（场效应管）构成，MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离，因此栅-衬间的电阻极大，而MOS电路的输入内部就是与栅极相接，所以输入阻抗高。

2、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。

3、阻抗高是因为mos的结构特点。栅极是氧化物绝缘层，电阻＞10兆欧姆。NPN就不行了，阻抗很低。驱动任意同类门是胡说八道。

mos寄生电阻有多大

mos输入端通过电阻接地的电阻值应为4k~6k之间不能多出这个范围之内，通过电阻接电的电阻值应该就在这个范围之内，希望对你有帮助，谢谢。

欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示，1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率。

一般R5大概在10R-220R之间吧。很显然，R4+R5等于栅极驱动电阻。

n沟道耗尽型mos管工作在可变电阻区的条件

1、）可变电阻区（也称非饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。

2、判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。

3、N道的MOS管箭头是向内侧指向，P道的箭头是向外侧指向的。导通条件都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N道G极电压为+极性。对P道的G极电压为-极性。

4、电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。电流流向：由漏极d流向源极s。

5、N沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 大于等于 VT 可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。在可变电阻区内：VGS =VT， VDS = VGS-VT。在饱和区内： VGS=VT， VDS = VGS-VT。

mos管内阻大小由什么控制

MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。

漏电阻值则取决于MOS管的工作状态和工作电压。在导通状态下，MOS管的漏电阻值很小，可以近似看作短路；而在截止状态下，MOS管的漏电阻值很大，可以近似看作开路。因此，当MOS管工作在截止状态下时，其输入电阻很高。

上面三个是主要直接跟你负载相关。Rds(on)相当于内阻，如果导通后内阻大 而你负载电流也大会导致MOS管严重发热。Id直接决定最大电流，如果这个小于你负载也就驱动不了。Vgs 如果没有驱动时候超过这个电压就会损坏MOS管了。

MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件

1、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

2、对的 问题的实质是：增强型MOS管的栅源电压也可以为0或负，只是这些情况与栅源电压未达到开启电压之前是完全一样的：截止。

3、MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

4、MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为：N沟道增强型管 ，N沟道耗尽型 管；P沟道增强型管 、P沟道耗尽型管。

5、MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。

mos管的电阻公式

1、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。

2、因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。m为MOS管的跨导值（即导数），RDS(on)为硅片表面的接触电阻，RCH为沟道电阻。

3、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

4、开关电源中MOS的源(S)极的那个下地电阻是过流保护的取样电阻，它的取值应该与过流设定值和芯片的保护阀值电压有关，一般计算应是：电阻值=芯片保护阀值电压/过流电流设定值。

5、有不同的表现），三极管是一种电流控制电流的器件，导通时基极需要一定的电流（漏电流）；而MOS管是一种电压控制电流的器件，导通时栅极几乎没有电流。

6、仿照普通三极管放大电路的做法，输出电阻等于RC。这里输出电阻等于RS。

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