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可以用测电阻法测量场效应管的好坏,用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏,用二极管档测量时,万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极(G-S两极)之间的电容充电。
用表红笔触发栅极G有效,说明该管为P沟道场效应晶体管。2.判别其好坏 用万用表R×1k档或R×10k档,测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。
判断电动车控制器MOS管好坏可以使用万用表欧姆档。用测电阻法去简单判断MOS好坏,就是用机械式万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值与MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
会发现,有数值显示了。这说明,此场效应管是完好的。如果所测的结果与上述两种方法均不符,则这个场效应管就是坏的。一般情况下,d极和s极击穿的比较常见。用数字万用表的“二极管”档测,会听到蜂鸣器的响声。
用测电阻法判别场效应管的好坏:测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
1、IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
2、一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
3、检测IGBT好坏简便方法:判断极性。首先将万用表拨在R1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)。
4、IGBT管有:P型、N型,有带阻尼的和无阻尼的。常见的IGBT管的管脚排列,将管脚朝下,标型号面朝自己,从左到右数,1脚:栅极或称门极(G),2脚:集电极(c),3脚:发射极(e)。
5、维修电磁炉的时候,经常需要测量判断IGBT管子的好坏,这里介绍用普通指针万用表测量判断IGBT管的方法。
6、导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同 样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。功率 场效应管 直流参数 分选仪 主要用于中小 电子产品 企业对场效应管或IGBT的批量测量,筛选。
1、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏,用二极管档测量时,万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极(G-S两极)之间的电容充电。
2、用测电阻法判别场效应管的好坏:测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
3、用测电阻法去简单判断MOS好坏,就是用机械式万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值与MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
4、测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点,测试时选择欧姆R×10K档,这时电压可达5V,红笔是负电位,黑笔是正电位。测试步骤:MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。
5、可以用测电阻法测量场效应管的好坏,用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
若测得某两极之间的电阻值接近0Ω,则说明该管已击穿损坏。另外,还可以用触发栅极(P沟道场效应晶体管用红表笔触发,N沟道场效应管用黑表笔触发)的方法来判断场应管是否损坏。
N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。
判断电动车控制器MOS管好坏可以使用万用表欧姆档。用测电阻法去简单判断MOS好坏,就是用机械式万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值与MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
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