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1、如果是恒流源IC的话,MOS管内置的,一般都会有个设置电流的引脚,通过改变该引脚的电阻就可以改变电流了。如果是MOS管外置的,那一般是每通道都会有设置电流的引脚,通过更改该引脚电阻值,可以改变每通道的最大电流值。
2、从散热角度考虑:LED驱动电源和LED灯珠既是热源体又是受热体,根据多年设计经验,我们赛明源电源在设计30W以上电源时全部使用MOS管与控制IC分离方案。
3、只要做到调试前计算,调试时测量,调试后老化,相信谁都可以搞好LED。LED电流大小大家都知道LEDripple过大的话,LED寿命会受到影响,影响有多大,也没见过哪个专家说过。芯片发热这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。
4、若采用IC配采样光耦的驱动电源的话,可以在光耦的发光管一路串联一个较高的电阻R1,另外在并联一个较小的电阻R2在光耦的发光管和R1两端,通过并联电路电压相等,利用FB短的反馈电流改变通过R2的电流大小。
5、输出电路:将高压脉冲直流变换传递到低压侧,在低压侧是较为连续的直流电压;它包含了20-50KHz电源驱动IC,大功率MOS场效应功率驱动管,铁氧体高频磁芯变压器,低压大电流快恢复整流管等元器件组成。
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的,使用电气参数测量方法无法确定,不过可以使用测量导通电阻方法估算,大约是V/导通电阻,V是参考压降,取值0.8-3,高压管取值大些,低压管取值小些。
在检测场效应管时要同德运网友说的那样,栅极G与源极S短接一下,放掉栅极的积累电荷。
用G极的控制电压来控制MOS管的导通,饱和,截止等状态。使得D极的输入电压,在S极的输出电压上体现出不同的状态。
场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断,这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。
如果电阻很小,就是mos的ds击穿了,换一个mos管试一试,如果是np结电压在0.7v左右,那可能是选了个pmos带反向保护的。
当G加上电压后就会给这个电容充电,当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的,实际上G极的电压仍然存在一段时间,所以不会马上截止。
由于MOS管通道内的电阻非常小,所以MOS管的电阻比非常大,通常在数千到数百万之间。MOS管的漏电流指的是MOS管通道内的电流,当MOS管的控制电压为0时,MOS管的漏电流也很小。
1、在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。
2、MOSFET开启电压5V的话,需要栅极电压高于源级电压5V才能导通,就是说如果源级电压是12V,栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。
3、MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的。
4、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。
5、可以用这个型号的MOS管:WPM2341-3/TR N沟道的,封装小巧,用在600mA电流的场景够用又有一定的余量,比较合适。
6、对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断,这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。
而MOS管是一个电压控制的电流源,用Ugs去控制IDS,Ids=gmUgs,gm是MOS管的低频跨导。
电压与电流的关系:成正比,关系式I=U/R。电压是形成电流的原因,当电压为0时,导体中不会有电流通过,即电流也为0。
电压不会随着电流改变,只有电流会随着电压而改变。电压是产生电流的“推动力”,可以通过实验,利用控制变量法,控制所有可能影响电流大小的其它因素不变,看在电压变化时,证明电流大小和电压有关。
电压与电流的关系 当电阻不变时,根据R=U/I可知,电压U与电流I是成正比的。电阻一定时,电压越高,电流越大,电压越低,电流越小,也就是电压和电流是成正比的关系。电流是由电压产生的,因此有电流必须要有电压。
有,MOS管原理就是通过栅源电压去控制漏源电流,即ID=gm*Ugs(此时应保证MOS管处于放大状态),其中gm是低频跨导,有专门的计算公式可以算出来的,与三极管的共射交流电流放大系数贝塔相比,gm变化更快一些。
MOS管的主要作用是放大电信号,用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应,即当PN结处于反向偏置状态时,其电阻非常大,电流几乎为零。
可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
功率mos在电动车控制器中的作用非常重要就不多说了,简单来讲mos的输出电流就是用来驱动电机。电流输出越大(为了防止过流烧坏mos,控制器有做限流保护),电机扭矩就强,加速就有力(电机磁饱和前扭矩和相电流成正比)。
MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。
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