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mos管开关损耗计算（mos管的开关损耗）

发布时间：2023-08-10
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本文目录一览：

MOS管的功耗计算方法?Mos管发热严重解决方法?MOS管选型?

驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf，考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f。

首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

在用示波器测试过程中，要特别注意这两个测试点的波形，在逐步升高输入电压的时候，如果发现峰值电压或者峰值电流超过设计范围，并注意MOS管发热情况，如果异常，应该立刻关闭电源，查找原因所在，防止MOS管损坏。

MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。

mos管的最大持续电流是如何确定的?

确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。

参考器件手册，MOS管的使用，散热条件很重要！要大的散热器帮助散热！DS接一个大功率的负载电阻(有可调的)，然后试着调整！但一般不这样做。

事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

看来，你没注意过其它MOS管的参数。一种习惯，把P管的电流写为负，N管写为正；晶体三极管也一样，PNP的电压写为负，NPN的电压写为正。

开关电源的损耗怎么计算

开关电源IC一般考虑的是效率，效率=P输出/P输入。

线路电流：电流值可以实测获得，也可以计算取得，单相220V线路电流＝设备额定功率／220，三相线路电流＝设备额定功率／额定电压／732／功率因素。

电损耗公式计算如下：电损耗=电流平方x电阻x时间其中，电流的单位是安培(A)，电阻的单位是欧姆(Ω)，时间的单位是秒(s)。电损耗简介：电损，指电流作了其它无用功而出现的电能耗损。

长度为1米的铜导线电阻是0.0185Ω。不同温度下的电阻率会有些差别，电阻率有一个温度系数.0.0185乘以100等于85也就是2欧左右，两根就是4欧左右，所以损耗也是很小的。接上线可以正常使用。

mos管的最大持续电流如何计算?

在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电 流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管，实在不行换一个，或者在硬之城上面找找这个型号的资料。

第一种：可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton 其中：Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。Tr：上升时间。

开关电源中,开关管的功率损耗怎么计算?如MOS管,作为开关的晶体管...

一般开关电源的效率（220v-48v）大于80%，效率以80%计算，它的功耗就等于负载功率/80%。

MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程。在此期间，MOS管的损失是电压和电流的乘积，称为开关损失。

输入功率=输出功率/效率。比如，开关电源是12V29A的，负载是12V1A。12V29A是指的开关电源的额定输出功率，12V1A指的是实际消耗功率。浪费不浪费则取决于开关电源的效率和实际消耗的功率。

输出功率=输出电压X输出电流，这两个参数在电源的铭牌上都应该有的。\x0d\x0a输入功率=输出功率/效率。\x0d\x0a效率一般上小于5W的取0.7，5-12W的取0.75。12W-24W的取0.8，24W以上的取0.8-0.92。

PD是指器件允许的最大消耗的功率，是在Tj=25度定义的，一般可由Pd=I*I*Rdson得到 在实际应用中，PD是指所有功率损耗的和，所以开关损耗只是Pd中的一部分。

关键词：s电容 mos管 电阻 导通电阻 电容 负载电阻 mos管开关

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