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mos管输入阻抗(mos管输入电阻怎么算)

发布时间:2023-08-21
阅读量:22

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关于场效应管的等效电路问题

场效应管的微变等效电路见下边两个图。第一个图考虑了管子的输出电阻rds。第二个因为rds很大而被忽略了。

场效应管自然有对应的参数,比如对应的等效电阻什么的。

FET的低频等效电路与双极型三极管相似,都可以用受控电流源等效,只是输入电阻rgs很大,通常作为开路处理。

MOS管栅极绝缘,反相器的输入电阻非常高,这里输入电阻是什么,

阻抗高是因为mos的结构特点。栅极是氧化物绝缘层,电阻>10兆欧姆。NPN就不行了,阻抗很低。驱动任意同类门是胡说八道。

确切来说,是绝缘栅型场效应管输入电阻高。主要原因是场效应管是电压控制元件,理想的场效应管栅极G与源极S间基本上是无电流的,只有控制电压,但G与S间是绝缘的,因此电阻非常大,通常为10的八次方。

其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写,MOS电路由MOSFET(场效应管)构成,MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离,因此栅-衬间的电阻极大,而MOS电路的输入内部就是与栅极相接,所以输入阻抗高。

MOS管栅极串联电阻如何确定

MOS管栅极电阻的选取可以通过以下步骤进行:确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。

一般来讲就是在MOS的温度和EMI折中 示波器里量测电阻前后对地波形,可以看到电阻前的PWM比后面的要直。

把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则MOS管漏电,不变则完好。然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,假如指针立刻返回无限大,则MOS完好。

...可以作为开关电源的开关,那么为什么还要用mos管?

近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管,之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势:输入阻抗高。输入阻抗之高,是普通大功率三极管无法比拟。

mos管是电压控制元件,在某些方面使用起来很方便,当然,在开关电路中,由于mos管的导通电阻很小,所以使用也非常好,在开关电路中应用,就是一个能够受控制的开关,一般是受电压信号的控制。

MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

MOS管作用:用途广泛,包括电视机高频头(高频,小电流)到开关电源(高压大电流),现在把MOS和双极型(普通三极管)复合在一起(IGBT,绝缘栅双极型晶体管),广泛应用于大功率领域。

可以。如果要工作在开关状态,就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。

三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。

关于三极管的输入阻抗

晶体管的输入端加交流信号vi时,在其基极将产生相应的变化电流b,如同在一个电阻上加交流电压而产生交流电流一样。因此晶体管的输入端b、e之间用一个等效电阻代替,这个电阻称为三极管的输入电阻rbe。

这个问题是这样的,在晶体管的三极管范畴里基极的输入阻抗肯定高于发射极和集电极,高多少你可以参考放大倍数和它的关系,多级晶体管是电流放大型器件。如果阻抗差不多还哪来放大一说?相对于其他两极基极的输入阻抗肯定高。

Ri就是三极管BE两端的电阻 Ro就是CE两端的电阻 。但不是用一般的电阻表测量出来的固定数值,而是一个变化的非线性值。

* rbe + (1 + beta) * Ib * Re = [rbe + (1 + beta) * Re ] * Ib 又有 U = R * I,所以看出来了吗? 加上Rb,输入等效电阻就是Ri = Rb // [rbe + (1 + beta)Re ]。都是这样分析的。

是导体就有电阻,要不怎么要研究超导呢。三极管内部极间分布电容和极面接触类型以及材料类型对外部输入有不同的阻碍作用,类比于电阻,又因为它不是线性的、恒定的有容抗特征,所以叫阻抗。

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