mos管平面沟道（mos p沟道）

发布时间：2023-08-21

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1、与跨导不同，MOS管的尺寸则主要指沟道长度、沟道宽度等物理尺寸。在MOS管的制造过程中，通过调整MOS管尺寸可以调整其特性，如阈值电压、输出电流等，并影响其跨导的大小。总之“跨导”和“尺寸”是MOS管的两个重要的电学参数。

2、mos工艺的特征尺寸是指mos工艺可以实现的平面结构的最小尺寸，通常是指最窄的线宽。在集成电路领域，特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即MOS器件的沟道长度。

3、宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。如果只是用来做驱动的话，根据负载能力确定宽长比。

4、mos晶体管中，栅下沟道预夹断后、若继续增大vds，夹断点会略向源极方向移动。

5、改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

看电路图的箭头是指向哪里，箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反。导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。场效应管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。

这个导通条件，其实可以简单理解为：N沟通是高电平导通，P沟通是低电平导通。另外提醒一下，要区分电压和电平，两者是不一样的。

场效应管是电压控制的元件，控制极和其他极不导通。N沟道的控制极高压时。漏极和源极导通。漏极流向源极。P沟道，一个很麻烦的元件。要负压控制。P沟道的控制极为低压（负电压）。漏极和源极导通。

场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型和P沟道型，一般使用N沟道型可带来便捷性。

按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。

mos管平面沟道（mos p沟道）

1、mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

2、.35微米cmos是指沟道宽度。根据查询相关资料信息，在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即MOS器件的沟道长度。一般来说，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，性能越好，功耗越低。

3、根据查询相关公开信息显示：mos管的内阻大小主要由器件的电流、沟道长度和沟道宽度决定，而漏极结电阻大小主要由材料的特性和工艺参数决定，沟道电阻与电流成正比，与沟道长度呈正相关，与沟道宽度呈反相关。

4、与跨导不同，MOS管的尺寸则主要指沟道长度、沟道宽度等物理尺寸。在MOS管的制造过程中，通过调整MOS管尺寸可以调整其特性，如阈值电压、输出电流等，并影响其跨导的大小。

5、管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。具体公式可以去查书。