功率mos管选型（mos管功率计算公式）

发布时间：2023-08-24

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1、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

2、这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。

3、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

4、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

5、更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

1、为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。

2、二极管选用1N4007，三极管选用TIP41C，MOSFET场效应管选用IRFP350，电流可达30A。输入电压48v，则保护电路上的基准电压大致为0.9V，只要取样电阻0.1欧上的电压大于0.9V，就会产生过流保护。

3、在10毫安以下，因此需要通过三极管进行功率放大。一般脉冲变压器的初级电压为10-20V，变比为1：1或降压，因此三极管一般选：电流0.5-2A，耐压大于等于100V，放大倍数100左右的开关三极管，对于工作频率没有特别的要求。

4、功能用途：S9013 是 NPN 型三极管，主要用于低功耗放大和开关电路。S9014 是 PNP 型三极管，也用于类似的低功耗放大和开关电路。S9015 同样是 PNP 型三极管，但适用于中低功耗放大。

5、mos管和三极管只要器件参数（工作频率和toff和ton等）选择合理，驱动电路设计恰当，都可以保证其低功耗，考虑到三极管的驱动级电路功耗及复杂性，还是mos管优选。

1、　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。

2、如果楼主对声音的要求一般，只要声音大，失真不算高就行的话，TDA7294或者LM3886接为OCL电路是不错的选择，必竟价格低，而且声音也是很不错的，性价比高。如果楼主对声音要求很高的话，那就不推荐用集成功放模块了。

3、VMOS管的漏源击穿VBR(DSS)可做得较高，当出现异常情况时，不易损坏。

4、更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

MOS导通后就是一个阻值很小的电阻，这个电阻叫Rds_on，即D、S间的电阻；流过MOS管D、S极的电流就会发热，P=i*i*Rds_on Rds_on与导通电压Vgs有关，Vgs越小（大于导通阈值电压5~6V），Rds_on越大。

一般情况下都可以，要注意其耐压，只能高不能低，但某些地方需要注意其频率，导通电压等。

mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

功率mos管选型（mos管功率计算公式）