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1、mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。
2、可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。
3、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
4、MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。
MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
PNP开关电路：NPN开关电路：3V控制5V开关电路 总结：PNP和P-MOS管的电路是兼容的，区别在于MOS一般通过的电流更大，NPN和N-MOS同理。另外，P-MOS管和N-MOS管的电路不可兼容，即N-MOS管不能接在VCC上作开关功能。
你好：——★三极管为电流控制元件，而mos 管属于电压控制元件，驱动功率极低。
三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。
你这个电路很明显是放大小信号的电路：第一级源极负反馈的共源极放大，第二级是源极跟随器。不能作为开关驱动。要弄清楚，想做开关MOS管必须处于深线性区，不能处于饱和区。
另外，如果你的驱动频率很高，这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。频率100K以上，必须使用专门的驱动电路（比如，图腾柱方式）或者MOS管专用驱动IC，不然的话MOS管容易烧毁。
两个电路图原理相同，如果参数正常，工作效果相同。但是电源容量不够，按照图1共用电源，就可能造成电源电压下跌，MOS管栅极激励电压受累下降，不再饱和导通，内阻增加，管耗加大，以至于烧管。
不只是老化的问题。MOS管的pin脚应该也掉了吧。可以用刀片刮一下，看是否还有线路 。另外，用万用表量测一下MOS管是否烧坏，看道痕迹应该是不良的。之后再接线，补MOS焊接。
mos耐压老化降低方法如下。优化器件结构和工艺，采用高质量的氧化物和金属材料。采用合适的运行条件，避免长时间高温和高电压的作用。采用可靠的温度和电压控制电路，对MOSt的工作状态进行监测和保护。
MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。当控制电压Vc较低时，MOS管的通道内的电流较小，导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。
另外一个就是温度，如果你的MOS散热不好，或者是用的安培数不够大，还有就是驱动能力不足、和变压器饱和这些都会造成温升过高。
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