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1、a. 三极管是电流控制型元件,MOS 管是电压控制元件;b. 正常工作时,三极管的两个PN 结一个正偏一个反偏,而MOS 管的两个PN 结均需 反偏;c. MOS 主要通过多子载流子导电,是“单极型”器件。
2、答案是可以的!具体请参考如下分析:不过MOS驱动,有几个特别的需求 1,低压应用 当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
3、一只三极管驱动MOS,那么MOS的栅源间要加入一个泄放电阻,把Cgs的电荷放掉MOS才能关断。推挽驱动MOS管,由于有一个管子导通另一个管子截止,所以N型管给MOS充电时,P型管截止,MOS可以顺利导通。
4、两种接法供参考,前一种作为开关用比较简单。后一种接法用在频率比较高的场合比较好。
区别 节能性:MOS管是电压控制性器件,二极管三极管是电流控制性器件,因此MOS管更节能。稳定性:MOS管只有多数载流子参与导电,二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电,因此MOS管热稳定性更好。
场效应管是一种特殊的晶体管,它是电压控制的器件,而普通三极管都是电流控制的器件。开关管、功率管这些是针对用途来说的,它可能是三极管也可能是场效应管,做开关用途时就叫开关管,做大功率控制的时候就叫功率管。
三极管和场效应管是两种不同原理的半导体器件,但最后起的作用类似。根据不同的功能这两种都可用于做行管。你的这些概念是不同的分类方式的不同叫法,比如按功率分三极管和场管都有大功率管和小功率管,大功率管简称功率管。
以及大电流地方开关电路 速度:MOS管开关速度不高,三极管开关速度高 工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制 阻抗:三极管输入阻抗小,MOS管输入阻抗大。频率特性:MOS管的频率特性不如三极管。
MOS管:管分为PMOS管和NMOS管,属于绝缘栅场效应管。三极管:是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
三极管和MOS管的区别:工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
1、从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
2、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压,所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管,而内存插槽共用一组MOS管。
3、它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。
答案是可以的!具体请参考如下分析:不过MOS驱动,有几个特别的需求 1,低压应用 当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
MOS管不只能够做开关电路,也能够做仿照拓宽,因为栅极电压在必定方案内的改动会致使源漏间导通电阻的改动。
用三极管不如用ULN2803,一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接,简单方便。
三极管的导通条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压。发射结加正向电压,就是基极和发射极之间所加电压Ube,是按箭头的指向加PN结的电压,即硅管加0.7V;锗管加0.2V。
1、之所以用MOS驱动是因为单片机I/O驱动能力很弱(一般只有500mA左右的电流)。D14的作用是为Q1和Q4组成的互补输出电路提供开启电压,让QQ4始终在开启状态。电源改成12V你不需要改任何东西。
2、可以加一级简单的三极管驱动来实现。单片机是一个弱电器件,一般情况下它们大都工作在5V.驱动电流在mA级以下,而要把它用于一些大功率场合,比如控制电动机,显然是不行的。
3、单片机控制 12V 0.3A的直流无刷电机(风扇) 驱动分为高电平驱动和低电平驱动:电平驱动IO 口 经一个2K的电阻 ,接到一个三极管 b ,风扇正极接 12V+,风扇负极接三极管 c , 三极管 e接GND (三极管 用NPN 8050 )。
4、SVL3接的是你的单片机I/O。需要提醒你的是,如果启动频繁,图中的8050三极管(40V,5A)不适合你的电机,推荐你用13003代替,如果你熟悉驱动电路的,更推荐你改用MOS管,推荐AO3400系列。
5、所以,你们只要用300mA以上额定电流的三极管就可以了,电压一般可以不用考虑,因为一般的三极管都可以耐反向12V电压。
MOS管虽然是电压控制器件,在工作在较高频率下栅极反复充放电也是需要较大电流的,要利用三极管的开关为栅极提供充放电回路。
是大电流驱动MOS管,让MOS管快速导通,减少MOS管的开关损耗。这种电路一般用在高频开关电源上。
mos是电压型器件,栅极输入阻抗高,对电压非常敏感,只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大,导通时间相对长,开关损耗就大。同时,mos的Rds小,压降小,自身的耗散功率就小。
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