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光耦p521工作电压是2V，工作电流是10mA。2个具有相同非线性传输特性的光电耦合器，T1和T2，以及2个射极跟随器A1和A2组成。如果T1和T2是同型号同批次的光电耦合器。
光耦导通压降约在1~5V左右。R3的作用是为了抗干扰。首先，通常光耦的输入电流范围在2~20mA，一般大多数情况下用在5mA以下。
光耦输入端的最大工作电压：5V。光耦输出端的最大工作电压：30V。光耦输出端的最大工作电流：50mA。光耦的最大工作温度：85℃。光耦的最小绝缘电阻：10^10Ω。光耦响应时间：小于等于4微秒。光耦的耐压能力：1500Vrms。
1、发光二极管端电压看你的电路连接了，当端电压超过了二极管的导通电压之后，二极管就发光，一般在0.7V左右，低于导通电压或者负极电压高于正极电压，二极管都是截止的。
2、光耦导通压降约在1~5V左右。R3的作用是为了抗干扰。首先，通常光耦的输入电流范围在2~20mA，一般大多数情况下用在5mA以下。
3、这与光耦本身没有任何关系。你的使用恰恰说明：从后续电路来说，是低电平“使能”的，但从光电耦合器件的输入端来看，后面的整体电路是高电平“使能”的。
4、Anode 阳极 cathode 阴极 emitter； (晶体管的)发射极 collector集电极 集极电压50V（min）电流转移比率 50%（min）等级GB 100%（min）隔离电压 2500Vrms(min)输入电压2V，输入电流10mA 输出电压和电流视电路而定。
5、不是。光耦的发光管导通电压和普通发光管一样都在5V以上。一般的光耦内部电路都简单，输入是发光管，隔离输出部分是三极管。光耦主要使用在需要将输入输出、端口电气隔离的电路。
6、光耦P521的3，4脚最小压差，依据参数，是0.2v才能导通电压。典型值是0.2V；最大值是0.4V。电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。
1、可以，负载的输入阻抗要非常大，大到可以忽略串上一个7K电阻的分压。换句话说，让7K电阻上的分压小于0.5V（约240K左右）则输出电压＞25基本上还是24V。
2、如果你要精确的24v，3脚接+28-30v，同时在4脚到地的10k电阻上并联一个24v的稳压管。
3、这个是NPN的输出回路，看图，如果驱动器信号输出，那么晶体管的门置高电压，正极和公共端打通，继电器回路形成通路，继电器工作。
1、用一个普通的小光偶和一只大于一安培的三级管复合起来就是一个大的光偶。
2、光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。可控硅型光耦还有一种光耦是可控硅型光耦。
3、.7v。光耦的导通电压是0.7v，光耦的工作部件是一个发光二级管，他的导通电压跟二极管是相同的。光耦合器简称光耦。
4、光耦最低工作电压驱动电流在2到20毫安。光耦的输入端实际上就是一个发光二极管，当给此二极管加上正向3伏到24伏的直流电压后，输出端的导通电阻就会从无穷大变到只有几十欧姆。
5、可以，我在一个项目有见过用光电耦合器代替机械继电器的经历。
6、首先，通常光耦的输入电流范围在2~20mA，一般大多数情况下用在5mA以下。对24V输入来讲，光耦压降3V，剩余电压27V，对8k电阻，光耦原边电流约3mA，满足其要求。至于22k电阻，要看具体应用。
它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。
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