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mos管偏置电阻（mos偏置电路）

发布时间：2023-09-07
阅读量：39

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求分析此电路中的偏置电阻和分压电阻如何选择

负载能力。如果之后的电路电流较高，则分压电阻应小一些，以保证分压电路的负载能力。一般应取分压电路的电流不小于10倍的负载电流。例子中若分压点只为给运放的输入端提供中点电压，则可以用两个100K、甚至更大的电阻。

，一般电路都能满足，A的输出电流远大于B的输入电流，分压比值就按R2/(R1+R2)=3/5取；2，RR2的取值一般还需按其分流电流约为10倍B的输入电流即可。

分压式偏置电路的两个分压电阻可选小一点十几K即可，以提高电路的稳定性。栅极电阻可选很大一般常用一至十兆欧，以提高输入电阻。

如果分压电阻是100Ω，那么并联上1KΩ的负载，对电压的影响就小了。滑动变阻器是件，它可以通过来改变自身的电阻，从而起到控制电路的作用。在电路分析中，滑动变阻器既可以作为一个定值电阻，也可以作为一个变值电阻。

设置大约1/5Vcc作为Re静态工作点反馈电压，也就是Ue，Re=Ue/Icq。

为什么mos管的输入电阻很高?

1、MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写，MOS电路由MOSFET（场效应管）构成，MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离，因此栅-衬间的电阻极大，而MOS电路的输入内部就是与栅极相接，所以输入阻抗高。

2、阻抗高是因为mos的结构特点。栅极是氧化物绝缘层，电阻＞10兆欧姆。NPN就不行了，阻抗很低。驱动任意同类门是胡说八道。

3、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。

4、mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。

5、MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。

6、N沟道MOS管的结构及工作原理N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。

mos管的作用及原理

1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。

2、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

3、MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件，其作用是控制电流的流动，从而实现电路的控制和调节。MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。

4、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

5、mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。

放大电路中为什么要设计三极管偏置电阻

1、放大的关键在于让基极和发射极间的电流流动起来，偏置电阻可以让基极有一定电位，与发射极形成电势差，便于电流流动。

2、三极管加偏置电阻的目的，让三极管无论何时都处于放大状态。 假如没有加偏置电阻，三极管就没偏置电压，将在信号正半周期处于放大状态。将在信号负半周期由于加入的是负电压，三极管则没放大能力。

3、偏置电路往往有若干元件，其中有一重要电阻，往往要调整阻值，以调整基极电流，在三极管的放大区，确定的基极电流保证了需要的集电极电流在电流在设计规范内。这要调整基极电流的电阻就是偏置电阻。

4、就是使三极管预先加上一个静态的电流，使其输出范围正好处于近似线性的区间内，这样的话可以有效地改善输出失真，提高放大质量。实际上偏置电阻就是在电源和三极管基极之间加一个电阻，使其集电极工作电流略有增加。

5、所以为了让它有放大的能力所以从电源那接一个电阻分压为它提供，但是一个电阻分压存在很多缺点，所以接两个电阻，让偏值电压处于放大状态的中间位置，这个点就是三极管中重要的Q点，让信号在Q点上下移动。

mos管驱动电阻小于100下篇偏置电阻取多少

偏置电阻Rb1和Rb2的选取是这样考虑的。流过Rb1的电流应该在10Ib左右，那么流过Rb2的电流就是9Ib。发射极电阻Re的选取一般为100～300Ω之间，这要根据三极管的具体工作点而定，为了计算方便，假定Re = 300Ω。

Vce静态工作点通常取电源电压Vcc的一半，这样静态时集电极电阻Rc两端电压也是0.5Vcc，Ic=0.5Vcc/Rc（为保证三极管的安全静态Ic值必须小于0.5Icm，调整Rc值可以满足要求。

缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。

欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示，1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率。

MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。由于该类型管子的输入电阻极大，如果不是工作在高频状态，对电阻选择要求不高，R2R26数百欧姆到数K欧姆都可以，R2R27在10K-20K范围也都可以。

mos栅极与源极之间的泄放电阻一般是5K到10K，那么并联的mos栅极与源极的泄放电阻是每个都用5k-10k还是加起来5k-10k。

mos管的电阻公式

1、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。

2、因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。m为MOS管的跨导值（即导数），RDS(on)为硅片表面的接触电阻，RCH为沟道电阻。

3、Rds = R0 + (Vgs - Vth) / Id 其中：- Rds是MOS管的输出电阻；- R0是漏极电阻，代表了MOS管导通时的固有电阻；- Vgs是栅源电压；- Vth是阈值电压，表示MOS管开始导通的门源电压差；- Id是通过器件的电流。

4、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

关键词：三极管偏置 分压电阻 mos管驱动 输入电阻 偏置电阻 电阻 驱动电阻 mos管

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