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GTR是巨型晶体管或称功率晶体管。从它的电路符号可见它与普通晶体管工作原理上是一样的,只是其制造工艺和功率大小不同。MOSFET是场效应管。
电力晶体管(Giant Transistor,GTR),GTR也是电流控制型器件。电力场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)。
电力晶体管是压控型的控制器件。电力晶体管(Giant Transistor)简称GTR又称BJT(Bipolar Junction Transistor),GTR和BJT这两个名称是等效的,结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。GTR由三层半导体、两个PN结组成。
全控型器件,例如(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),MOSFET(电力场效 应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);不可控器件,例如电力二极管。
半控型器件,例如晶闸管;全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),Power MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);不可控器件,例如电力二极管。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点,IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO。
半控型器件,例如晶闸管;全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),Power MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);不可控器件,例如电力二极管。
其中属于双极器件的有:SCR、GTO、GTR以及IGBT;单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器,也叫晶闸管,主要用在类似于二极管的领域,其与二极管不同的是,正向工作时,可通过门极电流来触发导通。
电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。断路器是属于电力电子元器件的,不好证明。
减小储存的载流子。减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子,或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压,可缩短储存时间,从而加快关断速度,因此是减小存储的截流子。抗饱和电路即为一种不使GTR进入深度饱和状态下工作的电路。
.GTR基极驱动电路(1)对基极驱动电路的要求①实现主电路与控制电路间的电隔离。②导通时,基极正向驱动电流应有足够陡的前沿,并有一定幅度的强制电流,以加速开通过程,减小开通损耗。
可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度。不存在少子储存效应,关断过程非常迅速。开关时间在10~100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。场控器件,静态时几乎不需输入电流。
制动电阻就是用来消耗这部分能量的。制动单元+电阻:制动单元由大功率晶体管GTR及其驱动电路构成。其功能是为放电电流IB流经制动电阻提供通路。
图4-12 实用的GTR驱动电路 2.集成化驱动 集成化驱动电路克服了一般电路元件多、电路复杂、稳定性差和使用不便的缺点,还增加了保护功能。3.GTR的保护电路 开关频率较高,采用快熔保护是无效的。一般采用缓冲电路。
电力晶体管(GTR)是一种双极型大功率晶体管,过载能力差,容易发生二次击穿( √) 3 电子设备的元器件输入信号较小,并且一般的放大倍数都比较大,所以不易受外界干扰。
1、它们常用于比赛,但也可以用于普通的驾驶,而且在跑道上可以获得更高的速度,以及更好的操控和加速性能。 GTR(Grand Touring Race):也是指赛车跑道上的赛车,但它的性能和操控能力要比GT更强,而且只能用于比赛。
2、.集成化驱动 集成化驱动电路克服了一般电路元件多、电路复杂、稳定性差和使用不便的缺点,还增加了保护功能。3.GTR的保护电路 开关频率较高,采用快熔保护是无效的。一般采用缓冲电路。
3、我们常说的GTR基本上特指日产GTR。在汽车圈里,能被称作GT的车,都不会是等闲之辈。像欧陆GT、玛莎拉蒂GT、AMG GT、日产GT-R等,各个都是颜值爆表、性能炸裂的车。
4、是智能功率模块。是一种先进的功率开关器件,具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及MOSFET高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。
5、GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关特性好。GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题。
6、GTR简介:GT的意思是豪华旅行车。60年代汽车普遍不具备长途行驶的资格,机械可靠性很低。于是,出现了一批高性能、高可靠性的大马力跑车,被称为GT。GT-R就是要把这些元素结合起来,努力成为一款全面强大的跑车。
1、电力电子器件的缓冲电路(snubber circuit)又称吸收电路,它是电力电子器件的一种重要的保护电路,不仅用于半控型器件的保护,而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。
2、电力电子器件GTO 可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)亦称门控晶闸管。其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。前已述及,普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。
3、②无损耗缓冲电路。串联电感或并联电容上的电能释放时不经过电阻或开关器件,称无损耗缓冲电路,常不用反并联二极管。在电机控制中主开关器件多采用 IGBT,IGBT关断时有尾部电流,对关断损耗很有影响。
4、使得 P2 极区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。5 GTO为何要设置缓冲电路?并说明其作用。
1、IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点,具有电导调制效应,其通流能力很强,但是开关速度较慢,所需驱动功率大,驱动电路复杂。
2、MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。
3、IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
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