mos管怎么分别（mos管怎么分辨三个极）

发布时间：2023-09-08

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1、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

2、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

3、漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。

4、GSD分别是栅极，源极，漏极。栅极控制开关，源极载流子流入，漏极载流子流出。nmos管载流子是电子，所以一般源极接低电压，漏极接高电压。pmos管载流子是空穴，所以一般源极接高电压，漏极接低电压。

5、三个脚为基极、集电极、发射机的是三极管。三个脚为栅极、漏极、源极的是MOS管。三极管和MOS管的外形看起来很像，实际是不同的东西。

6、数字万用表置电阻挡，先假设一极为G，接红笔，黑笔接一极设为S，黑笔不动，红笔接第三极，若电阻很小，假设成功，红为G，黑为S，第三极为D.反复假设测量，符合以上假设完成测试。

mos管怎么分别（mos管怎么分辨三个极）

MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

三个脚为基极、集电极、发射机的是三极管。三个脚为栅极、漏极、源极的是MOS管。三极管和MOS管的外形看起来很像，实际是不同的东西。

分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。

这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。

场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。结型场效应管(JFET) 结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。

场效应管按结构可分为结型场效应管（缩写为JFET）和绝缘栅场效应管（缩写为JGFET），从导电方式看，场效应管分为N型沟道型与P型沟道型。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种，而JFET只有耗尽型。

结型场效应管（JFET）结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。

看芯片脚下的铜片，场管一般只有G极是信号线，是细线，其余的都为粗线。场效应晶体管，简称场效应管。主要有两种类型和金属-氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

通过输出特性曲线和转移特性曲线来区分场效应管前，首先需要了解一个概念，场效应管是压控型器件，它区别于双极型晶体管（流控型器件），场效应管工作时栅极一般只需要一个电压就可以，电流很小或者为零。

场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。