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你是说的MOS管的 K3878和K2611吧。如果是这个的话。 那是可以替换的。现在2611都不怎么生产了。
可以的。拓展：场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。
两个型号管子参数不同，K2611可以代替K727。k2611是场效应管，可以用K2645场效应管代换。
不能，性能参数不同，性能高的可以代替性能低的，但要注意效应管周围各电子器件的相关性能参数变化值及后面电路部分受到的影响。
逆变焊机，分MOS管，IGBT单管，IGBT模块。mos管，看着就像三极管，很小，一般都是电磁炉什么的在用。所以，一般300的TIG机子用IGBT单管的，也是三条腿，但是比MOS管大，个头大，过的电流也大。
1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
2、场效应管分为结型(JET)管和绝缘栅型(MOS)管两种，符号如上，你可以想象成将字母J和字母M向左翻转90度，结型管符号好像翻转的J，MOS管右边的三个引出端好像字母M翻转后的三个点。这样就好记忆了。
3、而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。
漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
从结构上看，PNP型三极管的集电区和发射区是P型半导体，中间的基区是N型半导体，而NPN管的集电区和发射区是N型半导体，中间的基区是P型半导体。
场效应管的分为N沟道和P沟道。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
1、k4213（nmos，30v，64A，0.006欧姆）可用70T02SK3355-ZJ、70N075N04或85N03代换。k4212（nmos，25v，48A，0.0078欧姆）可用fdd8780代换。
1、在MOS管的工作过程中，如果栅极电流过大，会导致栅极和栅极氧化膜受到损坏，从而影响MOS管的性能和寿命。
2、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。
3、MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。
4、因为 Bipolar三极管的集电极电流是基极电流的β倍，其值通常为 100-800。而MOS 管的栅极电流非常小，趋于零(对于 2N7002，直流情况下，栅极漏电流在 10nA级)，这样一来，在通常的集电极MOS 管的电流增益远远大于 Bipolar。
5、- Rds是MOS管的输出电阻；- R0是漏极电阻，代表了MOS管导通时的固有电阻；- Vgs是栅源电压；- Vth是阈值电压，表示MOS管开始导通的门源电压差；- Id是通过器件的电流。
6、mos管栅极电压足够，当然会以比较大的电流给寄生电容充电，但是如果这个电流小了开关速度慢是不会烧管子的。倒是在实践中，虽然MOS管是电压控制器件，为保护MOS管，也经常在G端串联几十到几百欧姆电阻。
关键词：mos管
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