用mos管驱动电磁铁（mos管驱动电磁铁电路）

发布时间：2023-05-24

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Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管为保护二极管。源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。

mos管套磁珠可以降低传导原因：磁珠中的铁氧体等效于电阻以及电感的并联。磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。

很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极串多大电阻均能导通。

没问题，只要单片机输出高电平为+5V、MOSFET的栅极导通电压低于5V就可以。

是，因为单片机工作是基于数字信号的，所以只有高低两种电平状态。在单片机设计中有一个门限电压，具体记不清楚了，和单片机型号也有关系，模拟电压会通过门限比较判别确定高低电压，在系统中呈现0和1两种状态。

用TIP122驱动电磁阀，单片机输出高电平TIP122导通，低电平截止，如果电磁阀驱动电流比较大可以加上拉电阻（如图），或者将IO口设置成强推挽模式。

是的， 51单片机作输入时就直接让他输出高电平，看看外设有没有将其拉低。这是因为51的高电平输出电流很小，随便一个低电平就能将其拉低的缘故，但低电平不能被拉高。

第一步：先在Proteus软件中设计仿真电路原理图。第二步：再在Keil C51软件中编写且编译程序，程序后缀必须是.c。

单片机IO口输出电流不能驱动继电器，而且51单片机输出的高电平电流比灌入电流更低，正确的方法是接个PNP三极管如图，单片机IO口接在电阻一端。

1、场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。

2、把你这些电磁铁以直线排成2排后能做一把不错的电磁枪。这个成本已经不错了。还想怎么样？再说了，你的对开启时间、功耗的要求如何？继电器要加二极管续流，也不比场管便宜多少了。

3、没有按下开关时，60V只给电容充电，电容电压60V 按下开关时，电容电压通过左边电阻，可调电阻，稳压管加到mosfet的栅极，mosfet导通。mosfet栅极与地之间的电阻起到电压钳位作用，放置栅极电压过高。

用mos管驱动电磁铁（mos管驱动电磁铁电路）