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mos管静电（mos管静电击穿后孔洞形态）

发布时间：2023-05-24
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场效应管是不是很怕静电,为什么?

所以MOS管很怕静电，哪怕烙铁上的感应漏电都可能损坏它，甚至用手摸一下都可能损坏，当初真的叫人后怕，不过后来出的MOS管在GS间已经并联了击穿电压小于50V的双向二极管做保护了，损坏的几率小多了。

静电会对绝缘栅型场效应管（MOS管）造成不良影响，如果栅极悬空会被击穿。

当然不是，接入电路后，场效应管的栅极都有相应的元件，静电都有泄放通路，不会发生累积产生高电压，所不会损坏。

mos是场效应三极管的一种，场效应管很容易被静电击穿，其他常用的三极管一般不易被静电击穿，但可以因过压或者过流而损坏。

请问mos管是不是所谓的那样怕静电容易坏?连引脚焊接顺序都不能错?有...

注意烙铁接地，手先放静电，MOS引脚可以先短接防烧坏。风枪温度不宜过高。

MOS是很容易坏 焊接时把你的电烙铁外壳接地，如果没法接地就先把烙铁烧热，拔掉插头用余热焊。先焊其他元件，MOS管留到最后再焊。

三极管的基极就不同了，它的输入阻抗很小，静电打上去之后并不会分得很高的电压。

MOS管焊接时，回流焊和波峰焊当然不会有问题，用普通烙铁焊接时，简单注意几个事情就可以保证MOS的安全。

如果是手动焊接，主要要注意以下几点：1，熔锡焊接时间不能太长，否则可能因高温传递损坏器件。通常限制在3秒钟以内比较安全。2，焊接前注意清除引脚和电路板上氧化层，并使用含有助焊剂的焊丝，确保焊接快速、可靠完成。

第MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

静电会对场效应管造成不良影响吗?为什么?

1、因为它的输入阻抗太高了，一般能达到TΩ等级，这样栅极与其它两个电极就构成了一个电容器，可以积累电荷。

2、场效应管虽然是一种高阻抗输入的元件，利用电场效应原理进行控制的，所以，它的控制端G和源S，漏D之间是用二氧化硅组成的厚度不超过50μM的薄膜，所以G和DS是不会测量出有阻值的，一旦有了阻值就击穿了。

3、当然不是，接入电路后，场效应管的栅极都有相应的元件，静电都有泄放通路，不会发生累积产生高电压，所不会损坏。

4、mos是场效应三极管的一种，场效应管很容易被静电击穿，其他常用的三极管一般不易被静电击穿，但可以因过压或者过流而损坏。

为什么要对电力mosfet管进行静电保护

1、它们的管脚排列（底视图）MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

2、因为它的输入阻抗太高了，一般能达到tω等级，这样栅极与其它两个电极就构成了一个电容器，可以积累电荷。

3、过流保护，当工作电流超出设定值时，由保护IC切断Mosfet管。等工作电流回归到允许的电压是，重新恢复Mosfet管的导通。短路。

4、电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。

mos管的优缺点

1、优点：MOS管电路体积小，重量轻，寿命长，输入电阻大，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，比三极管省电，电路效率高。控制时采用电压控制，非常方便。

2、使用MOS管能做到10^8级以上.（2）温度稳定性好，由于场效应管里没有漂移电流，基本不受温度变化的影响。缺点：（1）放大倍数小，一级放大只能做到几倍（可能不到10倍），（2）输入端由于静电感应容易产生击穿。

3、③MOS管为双向器件，设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。

4、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

5、优点：场效应管：具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

mos管上面三角形代表静电,后面的c表示什么

1、MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体。

2、场效应管 TPC8118，SMD(SO)封装，TOSHIBA产品，P沟道， 电压-30V，电流 -13A，电阻 0.007Ω 。型号就和人名一样，分类识别符号啦。

3、mos管没有这个参数呀，要不你把规格书上有关这个的截图发过来看下。一般来说，工程师在选择mos管时候所注意的参数有Vds（耐电压），Id（耐电流）以及Rds（on）（导通电阻）。

4、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

5、MOS管比较抽象，是因为绝大部分学校对于MOS的教学比较粗糙，很少教。MOS管特别怕静电，要是不小心，就容易坏，比三极管要难使用。三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。

关键词：双向二极管 输入电阻 电容器 效应三极管 电阻 静电容 电容 场效应三极管 极间电容 mos管

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