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光电三极管因输入信号为光信号,所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极管一样,光电三极管外壳也有一个透明窗口,以接收光线照射。
主要内容有:半导体光电探测器、光电倍增管、微光像增强器、真空摄像管、CCD和CMOS成像器件、致冷和非致冷红外成像器件、紫外成像器件、X射线成像器件。
光电器件主要有:利用半导体光敏特性工作的光电导器件,利用半导体光生伏特效应工作的光电池和半导体发光器件等。
光纤通讯器件 其中包括光有源器件(例如激光器,光收发模块等),光无源器件(例如光纤耦合器,光纤光开关,光分波器等)。光电照明器件 例如 LED灯具,或者说其它发光照明灯具,或发光装饰灯具。
器件:加工中改变分子成分和结构的产品,主要是各种半导体产品。例如二极管、三极管、场效应管,各种光电器件、各种集成电路等,也包括电真空器件和液晶显示器等。
半导体光电子器件的原理是激励方式,利用半导体物质(既利用电子)在能带间跃迁发光,用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜,组成谐振腔,使光振荡、反馈、产生光的辐射放大,输出激光。
1、用光电效应方法测量普朗克常量;测定光电管的光电特性曲线。
2、光电效应测普朗克常数实验是光电效应与普朗克常量的测量实验。实验原理是光电效应是指一定频率的光照射在金属表面上时,会有电子从金属表面溢出的现象。
3、光电效应与普朗克常量的测量实验。实验中,用光阑的大小来模拟光强的大小,本来就是一种粗略的手段,真正的光强应该用光功率计之类的测量,而且光源也要用标准光源。对于你所用的仪器汞灯光源来说,其发光的均匀度也不尽理想。
4、光电效应及普朗克常量的测定实验原理是在光谱成分不变的情况下,光电流的大小与入射光的强度成正比。光电效应规律有两条:在光谱成分不变的情况下,光电流的大小与入射光的强度成正比。
5、在实验中,只要把多种不同的入射光频率v和对应光电子最大初动能Ekm测量出来 ,作出Ekm——v图像,可得到一条直线,直线的斜率就是普朗克常数h。
1、增量式光电编码器有带缝隙圆盘和指示缝隙盘及光源和光电器件组成。
2、霍尔式的传感器利用的是霍尔元件的电阻值会随着外部磁场强弱的变化而变化。磁电式传感器及旋转变压器利用的是电磁感应原理。光电式传感器利用的是光电转换原理。供参考。
3、使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁感应强度。用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。
4、方法:霍尔传感器用于测量电机转速时,一般是霍尔传感器固定安装,而在电机的旋转部位安装一个导磁性好的磁钢,旋转过程中,磁钢每接近霍尔传感器一次,霍尔传感器认为电机旋转了一圈,以此计算电机转速。
5、其功能是将被测旋转体的转速变换成电脉冲信号,并且能够推动计数器计数。常用的测速传感器按其作用原理可以分为光电式、磁电式、电容式、霍尔元件式、电涡流式等。
1、截止电压就是终止电压,是指电池放电时,电压下降到电池不宜再继续放电的最低工作电压值。不同的电池类型及不同的放电条件,终止电压不同。由制造商规定的放电终止时电池的负载电压。
2、出现光电流后,施加方向电压,使得光电流等于零的最小电压为截止电压。
3、因为测普朗克常数遏制电压表示的是不产生光电效应时候的电压,在光照条件下会有电子打出来,为了阻止这些打出来的电子到达正极,就必须加一个反向的电压使得速度最大的电子无法达到正极,所以这个电压就是负的。
4、如硒)上时,它的能量可以被该物质中的某个电子全部吸收。电子吸收光子的能量后,动能立刻增加;如果动能增大到足以克服原子核对它的引力,就能在十亿分之一秒时间内飞逸出金属表面,成为光电子,形成光电流。
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