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mos管耗尽型（耗尽型mos管应用电路）

发布时间：2023-05-28
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本文目录一览：

“N沟道耗尽型MOS管,在制造过程中,在S与D极之间的衬底表面上就已经形...

1、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

2、在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。

3、平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。

mos管增强型与耗尽型的区别在哪里?

工作方式不同。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型，即耗尽型场效应管。当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型，即增强型场效应管。

指代不同 耗尽型：即在0栅偏压时就能够导电的器件。增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。

最简单的一个差别：所谓的增强还是耗尽，主要是指MOS管内的反型层。如果在不通电情况下，反型层不存在，电压加到一定程度后，反型层才出现，这个就是增强。

用N沟来说吧，如果G高于S时候导通（比如VGS=3V）那就是增强型的，如果G低于S时候就可以导通，那就是耗尽型的。用万用表测量，如果GS短路时候DS导通了，那就是耗尽的。

耗尽型MOS晶体管有哪些

1、耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSS229等高耐压的　英飞凌品牌的。

2、结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。

3、MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。

关键词：耗尽型mos管应用 IC芯片 mos管

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