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Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点裤搏,还有就是承受电流的空搭能力。别人10n60就斗纯拿是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
降压电路驱动电路的MOS管尺寸选择,选择依据如下:
首先,确定降压电路的最大输入电压,MOS管的耐压,需大于等于1.3倍以上输入电压,确保MOS管不会被击穿。
然后,再确定输出电流大小,根据电流大小,尽可能选择低内阻链搭MOS管,这意味着其允许输出电流越大,发热越小。并计算MOS管功耗。
最后,根据以上参数:耐压,最大电流和功耗,选择符合以上条件的MOS管。根据允许安装尺寸选择宽哗合适的封装。比如top3,to220,慎唤行to263,to252,dfn8,qfn8,sop8,sot23,sot223等封装。
一、MOS管封装
不同的封装尺耐拦寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率,需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素),基本原则就是:在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下,选取参数和封装更通用的功率MOS管。
常见的MOS管封装有:
①插入式封装:TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92;②表面贴装式:TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3;不同的封装形式,MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样,简单介绍如下。
1、TO-3P/247
TO247是比较常用的小外形封装,表面贴封装型之一,247是封装标准的序号。
TO-247封装与TO-3P封装都是3引脚输出的,里面的裸芯片(即电路图)是可以完全一样的,所以功能及性能基本一样,最多是散热及稳定性稍有影响TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用昌搏胡在大功率的POWER中,用作开关管的话,它的耐压和电流会比较大一点是中高压、大电流MOS管常用的封装形式,产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点,适于中压大电流(电流10A以上、耐压值在100V以下)在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。
2、TO-220/220F
这两种封装样式的MOS管外观差不多,可以互换使用,不过TO-220背部有散热片,其散热效果比TO-220F要好些,价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。
3、TO-251
该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积,主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。
4、TO-92
该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用,主要是为了降低成本。
5、TO-263
是TO-220的一个变种,主要是为了提高生产效率和散热而设计,支持极高的电流和电压,在150A以下、30V以上的中银轿压大电流MOS管中较为多见。
6、TO-252
是目前主流封装之一,适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。
STD2NK100Z 的参数
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 1.85 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
系列: STD2NK100Z
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
宽度: 6.2 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 2.4 S
下降时间: 32.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.5 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 41.5 ns
典型接通延迟时间: 7.2 ns
单位重量: 4 g
1、漏极-源极耐压Vdss,一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值,D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。2、漏极连续工作电流ID,例如常温下7N60和10N60的ID值分别为7A和10A,一般单电压电源选择2A/10W比较安全;3、漏极磨袜-源极阻抗RDS,阻抗越小温升越低,漏极电流越大,一般7N60的阻抗为1Ω,10N60的阻抗瞎改激为0.7Ω。4、工作频率即开关时间TD,一般MOS管的开关时间70nS(歼锋纳秒)左右。这几个条件满足了,基本没问题。
关键词:mos管
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