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1、PN结外加正向电压V,在这个外加电场的作用下,PN结的平衡状态被打破,P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动,空穴和PN结P区的负离子中和,电子和PN结N区的正离子中和,这样就使PN结变窄。
2、查资料显示贴片二极管标记U1D其型号应该是MURS120=200V/1A快恢复二极管。
3、表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。
4、和电阻、电容用R、C表示一样,D 在电路中就是表示二极管的文字代号,它们都是用英文单词首字母的大写形式表示。
5、本二极管。d83是本二极管,D83是本二极管位置号不是本身的型号。二极管是用半导体材料制成的一种电子器件,具有单向导电性能, 即给二极管阳极加上正向电压时,二极管导通。
6、二极管标记U1D其型号应该是MURS120=200V/1A快恢复二极管。
1、查资料显示贴片二极管标记U1D其型号应该是MURS120=200V/1A快恢复二极管。
2、二极管标记U1D其型号应该是MURS120=200V/1A快恢复二极管。
3、傍边的D1字样就是这个元件在电路中的代号,通过D1可知该元件为电路中编号为1的贴片二极管,可用电气参数相同(或接近)的任何二极管替换。
答案应该是B:75V。因为二极管是理想元件,和D2连的100V不起作用;u1(150V)在200K电阻上的分压是100V,减掉和它反向串联的25V,u2就应该是75V。还有一种解释:A:25V u1通过D2短路掉了,所以 u2应该是25V。
答案应该是B:75V。因为二极管是理想元件,和D2连的100V不起作用;u1(150V)在200K电阻上的分压是100V,减掉和它反向串联的25V,u2就应该是75V。还有一种解释:A:25V u1通过D2短路掉了,所以 u2应该是25V。
前面的电路是±2V的限幅电路,大于2V和低于-2V会被削顶。后面一图正向电压无法通过,反向时限幅-3V。其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。
解:设2个二极管均截止,计算其开路电压,然后判断。
uo2=3v, 因为最下面3v电压最高,其余二级管都不导通,-5V因为有电阻隔离,所以不影响Uo2电压。Uo1 =1V,因为最上面1v电压最低,其余二级管都不导通,+5V因为有电阻隔离,所以不影响Uo2电压。
-5V+2k*33mA=-66V,这与点B电压必然大于-0.7V矛盾,所以D1不通是不可能的,所以只有第一种假设成立。 以上。
1、二极管标记U1D其型号应该是MURS120=200V/1A快恢复二极管。
2、查资料显示贴片二极管标记U1D其型号应该是MURS120=200V/1A快恢复二极管。
3、丝印ES1J,是超快恢复整流二极管1808SMA型,主要参数是1A/600V ,恢复时间35ns。所以ES1J参数优于US1J,可以代换。
4、整流二极管损坏后,可以用同型号的整流二极管或参数相贩其它型号整流二极管代换。通常,高耐压值(反向电压)的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管,而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。
5、US1M为高效整流二极管,而RS1M是快恢复二极管,二者不可替换,具体的区别请看下方。
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