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关于三极管导通压降的信息

发布时间：2023-05-31
阅读量：38

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二极管正向压降测试仪哪家好

用“DC POWER SUPPLY”仪器测试（恒流调节直流电流）：先给一个小电压，让有电流通过肖特基二极管MBR60200PT，然后慢慢加大电流，达到被测肖特基二极管MBR60200PT的额定电流，等电压值稳定后再读数，稳定读数是额定电流的电压降。

选择二极管档。红表笔接到二极管正极，黑表笔接到二极管负极，读出正向压降值，一般锗管的正向压降约为100～300mV，硅管的正向压降约为500～700mV。

检测二极管(使用二极管档)红笔接正极，黑笔接负极；可显示二极管的正向压降。正常应显示；硅管0.500~0.700，锗管0.150~0.300。肖特基二极管的压降是0.2V左右，普通硅整流管(1N4000、1N5400系列等)约为0.7V，发光二极管约为8～3V。

外接电源测量。用3V稳压源或两节串联的干电池及万用表（指针式或数字式皆可）可以较准确测量发光二极管的光、电特性。为此可按图10所示连接电路即可。如果测得VF在4～3V之间，且发光亮度正常，可以说明发光正常。

点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1K的多为高频管。硅高速开关二极管的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5K～10K 。

也就是二极管的正向压降值。不同的二极管根据它内部材料不同所测得的正向压降值也不同。用数字式万用表支测二极管时，红表笔接二极管的正极黑表笔接二极管的负极，此时测试得阻值才是二极管的正向导通阻值。

功率场效应管和三极管的导通饱和压降各有什么特点?

功率三极管的饱和导通电压比较小，大功率管的uces在1-3v。功率场效应的饱和导通电压要稍大，通常udss在5v以上。

场效应管：具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

大功率场效应管导通后，特性为纯阻性。普通三极管饱和导通时几乎是直通的，有一个很低的压降，称为饱和压降。

三极管的饱和导通压降是什么?为什么是0.1V而不是0.7V?越详细越好,谢谢...

饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

.7V只是三极管刚开始导通的电压，等三极管完全饱和导通时是2V。

三极管在饱和状态时，集电极压降未必是0.3V，而是集电极电流的函数，电流越小，电压越低，最低可以达到mV数量级，电流大时达到几伏也是可能。因为饱和时也是有内阻的，尽管它未必线性变化。

三极管的导通电压是不确定的，因为它是电流控制元件。

而你理解成了Vce＜0.7V是已知条件。

三极管饱和导通时的压降是多少啊

三极管饱和时Uce压降可以达到0.1V以下，甚至更低。一般情况下，在安全值以内，Ib越大，Uce越小。

.7v是硅三极管pn结之间的正向压降；而三极管的饱和压降、是指三极管饱和导通后CE之间的压降。这个饱和压降用ces来表示。他的离散性较大，不一定都是0.1V。

饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

锗材料的三极管工作时各结压降较低为0.1伏，硅材料的的三极管工作时各结压降较高为0.3伏。晶体管的饱和压降与其导电类型无关，主要是与材料相关。三极管的饱和导通时集电极电流已不再随基极电流增大而变化。

三极管工作时各结压降一般为多少?

三极管一般状态，饱和状态be间电压可认为恒定0.7v。ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时，电压压差也应该恒定（只是饱和时和一般状态的具体值不一样，饱和时压差低一些）。

三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

三极管有三个状态：放大、截止和饱和。讨论三极管PN结的压降，应该先明确三极管的状态。

硅三极管的 B（基极）、E（发射极）电 压降一般0.6伏到0.7伏之间。温度越高压降越低，反之相反。当然基极电流也有关，因为电流越大温度相应增高。C（集电极）、E（发射极）电压降是，由集电极发射极回路电阻决定电压。

在三极管或二极管里面,导通压降是什么意思

1、三极管管压降就是指集电极与发射极的电压。一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

2、简单的说，等于电子管导通电压，如果说一个电路中串联了一个二极管，如果这个电路电流通过了二极管，电路就导通了。这个时候二极管两端的电压就是其导通电压，比如经验值0.7v。

3、二极管就其本质而言还是一个电阻，只是导通的时候电阻很小，不导通的时候接近无穷大。而导通时候的电阻会分担一定的电压，所以叫管压降；闭合电路中，由于两点间存在温差而出现的电位差叫做热电压(Thermal voltage)。

4、三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

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