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是NPN型高反压开关三极管。主要参数:VCBO:700V ;VCEO:400V;VEBO:9V;ICM:5A;PCM:75W。
是NPN型高反压开关三极管,主要参数:集电极与基极的最高反向耐压为700V伏特。集电极与发射极的最高反向耐压为400伏特。发射极与基极的最高反向耐压为9伏特。集电极允许通过的最大电流为5安。
你好,这是UTC公司生产的管子 下图为13003和13005的参数,它们的区别就是Ic、反向电压等参数不同,具体见图。
1、为中功率NPN型晶体管,主要作为电源开关管用。小型的开关电源,及电子整流器都用这个管子。字面朝自己,管脚朝下,从左至右三脚依次为ECB。耐压VCEO=400V。最大电流ICM=5A,放大倍数Hfe约为5至25倍。
2、为中功率NPN型晶体管,主要作为电源开关管用。
3、c是一种高反压低放大倍数的NPN型开关三极管。NPN型开关三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地)。
1、为中功率NPN型晶体管,主要作为电源开关管用。
2、其主要参数包括最大集电极电压(Vceo)、最大耗散功率(Pd)、最大集电电流(Ic)、基极发射极电流(Ibe)等等。这些参数通常会列在其数据手册中。需要根据具体电路需求去选择最合适的13003三极管参数。
3、为中功率NPN型晶体管,主要作为电源开关管用。小型的开关电源,及电子整流器都用这个管子。字面朝自己,管脚朝下,从左至右三脚依次为ECB。耐压VCEO=400V。最大电流ICM=5A,放大倍数Hfe约为5至25倍。
4、参数:芯片面积:63×63(特制芯片);额定电流:5 A(加大电流品种);饱和压降低、热性能好;反向击穿电压高、漏电流小;N型硅单晶三重扩散平面工艺制作。
可以用3DK5MJE13003/13005代换。
是个功率开关管,其特征参数是:400V 5A.40W。封装:TO-126 可以代换的型号:MJE13003, D13003 ,(在13003前面加的字母可以不必理会,什么字母都行,那是生产厂家自己定的)这些都可以直接代换。
是NPN型700V 5A 40W 硅材料高反压大功率三极管,可以用13005: NPN 700V、 5A 50W 。13007:NPN 700V、 4A 60W代换。
从参数去看是不可以的 ,但是原来的13003工作电路图的工作电压不超过13002的耐压值、电流不超过1A,就可以换。只要CE的工作电流峰值不超过1A就完全可代换。
是高速/高压开关管,参数是: 600V/400V 、5A 、40W,其实,你去卖配件的地方直接说要三极13003,很容易买到,你如果要买它的代换型号的话,反而很难找:3DK304A、 NK50080、 NK50080 、NK50120A 。
1、全型号为MJE13003=700V/5A NPN 硅三极管,常用于小功率开关电源的开关管。
2、其主要参数包括最大集电极电压(Vceo)、最大耗散功率(Pd)、最大集电电流(Ic)、基极发射极电流(Ibe)等等。这些参数通常会列在其数据手册中。需要根据具体电路需求去选择最合适的13003三极管参数。
3、这是一个高耐压的大功率开关管,经常用在节能灯电子镇流器、开关电源里面,直接对220伏整流以后的直流电进行开关震荡换成交流电。价格便宜不到1块钱一个。
VCC 和 VO 终端可能被绑到一起来实现惯常的光敏达林顿晶体管放大器操作。基极接入终端实现对增益频段的调节。6N139 适用于 CMOS、LSTTL,或其它低功率应用中。
三极管输出的光耦; 〔1〕按输出结构分有三种:无基极引线光耦,有基极引线光耦,双三极管的达林顿光耦。
TLP627是光耦 光耦种类信息:光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。 检测示意图非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于开关信号的传输,不适合于传输模拟量。
til113光耦用法:一脚二脚可以内接发光二极管。til113引脚功能是,一脚二脚内接发光二极管,三脚四脚内接三极管的集电极和发射极。
DSP 的I/O为高电平时,三极管be结之间有一定电压,三极管处于导通状态。三极管导通状态时,ce结相当一个很小的电阻,5V电压基本上被510欧的电阻和达灵顿管分担了,RQ1相当于接地。所以这时RQ1电位基本为零。
》没有隔离需求时不要使用光隔离,因为其效率低于“1”(图中利用光隔离反向是个误区)。4》2003虽然好用,但它高入低出,在这个电路里不适合。
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